zhou yang和Claude Opus 5
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事件从 evlog_put*() 进一个 256 条的 RAM 环（临界区里两条指令，**不阻塞、 不碰 flash**），由最低优先级的 t_log 攒够 16 条或最老那条等满 1 s 时批量写进 新的 `evlog` 分区（17 扇区 × 4 KB = **4335 条**）。A10 的事件出口原样接上， 判据那一层一个字没动。 八条实现约定（详见需求文档 §10.7）： · 落盘不用 NVS 也不用 SPIFFS，是一块裸 data 分区 —— NVS 的页式 GC 会把 「写一条事件」变成一次不可预测的搬移。HAL 因此多出第六样 hal_store； · 17 个扇区不是 16：每扇区要拿一个 16 B 的槽当扇区头，4 KB 只装 255 条， 16 扇区 = 4080，差 16 条不到 §10.7 要求的 4096； · 序号 = flash 里的位置（epoch × 255 + 槽号），不是自增计数器 —— 重启接着数 不用存计数器；代价是没落盘的事件还没有序号，A12 读之前要先 flush； · 入队走关中断的临界区，**不是第三把锁**：入队方是最高优先级的 t_safety， 停在一把 t_log 持着的锁上等于让最低优先级的任务决定巡检节拍； · 丢事件可以，悄悄丢不行 —— 缓冲满了盖最旧的，但补一条 LOG_EV_LOST 记着丢了几条； · 每条记录带 CRC-8（见下），写失败就放弃该扇区剩余部分，被放弃的那段在序号 空间里是个洞，读回时给一条空记录占位（跳过的话上位机游标会卡住）； · 每次上电记一条 LOG_EV_BOOT：时间戳上电从 0 计，没有它两次上电的记录会穿插。 事件类型的数字是 flash 格式的一部分，只许往末尾加；safety_ev_t → log_ev_t 是显式 switch 不是加偏移。§10.7 里还没人产生的六类号已占住（A12/A15/A16 去填）。 27 个用例；23 条注错逐个跑过，21 条变红。第一版校验和用异或，漏掉的正是最常见 的那条：payload 全 0 的记录被掉电切在第 8 个字节上时，后 8 个字节留在 0xFF， 而 8 个 0xFF 的异或恰好是 0 —— 半条的校验和与整条一模一样，扫描把半条当成 一条真事件。换成 CRC-8 之后拦住。另外两个只在这里才踩得到的坑：「掉电重启」 不能用 sim_hal_reset()（那是换新板子，flash 一起擦，测试永远绿），为此加了 sim_hal_reboot()；「读到洞就跳过」这个错被测试里 static 数组的零初始化掩盖过 一次，缓冲要先填成非零。 Co-Authored-By: Claude Opus 5 <[email protected]>
60 行
2.9 KiB
C
60 行
2.9 KiB
C
/* 掉电不丢的一块字节区（需求 §10.7 的「落盘」）—— HAL 的第六样东西。
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计划 §4.1 写着「HAL 只抽象四样」，§10.3 的两把锁是第五样。这里的第六样同样
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要给个理由：§10.7 要求事件**在上位机不在线时也记得下来**，而「记得下来」在
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ESP32-S3 上就是往 NOR flash 的一个分区里写。事件日志本身（环形、批量、
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按序号增量拉取）是与平台无关的逻辑，宿主机上必须跑得到；能跑不到的只有
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「怎么擦一个扇区、怎么写一段字节」这三行。抽的就是这三行。
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---- 抽象的是 NOR flash，不是文件 ----------------------------------------
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接口上带着 NOR 的两条物理事实，因为**上层绕不开它们**：
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1. **写只能把 1 变成 0。** 同一个位置写两遍不是覆盖，是按位与。
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所以 sim 的实现也是按位与 —— 真板上「以为覆盖成功了」的那种错，
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在一个 memcpy 式的假实现里一次也复现不出来。
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2. **擦除的粒度是扇区**（4 KB），擦完全是 0xFF。
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还有一条没写进接口但同样要记住的：擦一次就少一次寿命（十万量级）。
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§10.7 的量级是「每天几十条」，17 个扇区轮着用，一辈子擦不了几轮。
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⚠️ **不做 wear leveling、不做坏块管理、不做文件系统。** 这块区只有一个用户
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（evlog），它自己就是个环形缓冲，天然轮流擦全部扇区。套一层 SPIFFS 反而
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多出一堆掉电一致性问题 —— 那正是这一节最不想要的东西。 */
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#ifndef HAL_STORE_H
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#define HAL_STORE_H
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#include <stdint.h>
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#include "hal_err.h"
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#ifdef __cplusplus
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extern "C" {
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#endif
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typedef struct {
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uint32_t sector_bytes; /* 擦除粒度。ESP32-S3 的 NOR 是 4096 */
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uint32_t sectors; /* 这块区有几个扇区 */
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} hal_store_geom_t;
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/* 幂等。ESP 侧是找到 `evlog` 分区；找不到返回 HAL_ERR_STATE
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（分区表里漏了这一项 —— 那是编译期就该发现的错，不是硬件故障）。 */
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hal_err_t hal_store_init(void);
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/* 没 init 时两个字段都是 0。调用方拿它算容量，所以**不许猜**这两个数。 */
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void hal_store_geometry(hal_store_geom_t *g);
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/* 读。off/len 以字节计，越界返回 HAL_ERR_ARG。 */
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hal_err_t hal_store_read(uint32_t off, void *buf, uint32_t len);
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/* 写。⚠️ **按位与语义**（见上）：往没擦过的地方写，得到的是两次内容的与，
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而且**不报错**。想覆盖就得先擦整个扇区。
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off 与 len 都要求 4 字节对齐（esp_flash 的要求，sim 里同样拦）。 */
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hal_err_t hal_store_write(uint32_t off, const void *buf, uint32_t len);
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/* 擦一个扇区（整块变 0xFF）。sector 是索引，不是字节偏移。 */
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hal_err_t hal_store_erase(uint32_t sector);
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#ifdef __cplusplus
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}
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#endif
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#endif /* HAL_STORE_H */
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