事件从 evlog_put*() 进一个 256 条的 RAM 环(临界区里两条指令,**不阻塞、 不碰 flash**),由最低优先级的 t_log 攒够 16 条或最老那条等满 1 s 时批量写进 新的 `evlog` 分区(17 扇区 × 4 KB = **4335 条**)。A10 的事件出口原样接上, 判据那一层一个字没动。 八条实现约定(详见需求文档 §10.7): · 落盘不用 NVS 也不用 SPIFFS,是一块裸 data 分区 —— NVS 的页式 GC 会把 「写一条事件」变成一次不可预测的搬移。HAL 因此多出第六样 hal_store; · 17 个扇区不是 16:每扇区要拿一个 16 B 的槽当扇区头,4 KB 只装 255 条, 16 扇区 = 4080,差 16 条不到 §10.7 要求的 4096; · 序号 = flash 里的位置(epoch × 255 + 槽号),不是自增计数器 —— 重启接着数 不用存计数器;代价是没落盘的事件还没有序号,A12 读之前要先 flush; · 入队走关中断的临界区,**不是第三把锁**:入队方是最高优先级的 t_safety, 停在一把 t_log 持着的锁上等于让最低优先级的任务决定巡检节拍; · 丢事件可以,悄悄丢不行 —— 缓冲满了盖最旧的,但补一条 LOG_EV_LOST 记着丢了几条; · 每条记录带 CRC-8(见下),写失败就放弃该扇区剩余部分,被放弃的那段在序号 空间里是个洞,读回时给一条空记录占位(跳过的话上位机游标会卡住); · 每次上电记一条 LOG_EV_BOOT:时间戳上电从 0 计,没有它两次上电的记录会穿插。 事件类型的数字是 flash 格式的一部分,只许往末尾加;safety_ev_t → log_ev_t 是显式 switch 不是加偏移。§10.7 里还没人产生的六类号已占住(A12/A15/A16 去填)。 27 个用例;23 条注错逐个跑过,21 条变红。第一版校验和用异或,漏掉的正是最常见 的那条:payload 全 0 的记录被掉电切在第 8 个字节上时,后 8 个字节留在 0xFF, 而 8 个 0xFF 的异或恰好是 0 —— 半条的校验和与整条一模一样,扫描把半条当成 一条真事件。换成 CRC-8 之后拦住。另外两个只在这里才踩得到的坑:「掉电重启」 不能用 sim_hal_reset()(那是换新板子,flash 一起擦,测试永远绿),为此加了 sim_hal_reboot();「读到洞就跳过」这个错被测试里 static 数组的零初始化掩盖过 一次,缓冲要先填成非零。 Co-Authored-By: Claude Opus 5 <[email protected]>
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# 目标芯片:ESP32-S3-WROOM-1(需求 §10)
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CONFIG_IDF_TARGET="esp32s3"
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# 8 MB flash / 双分区 OTA 留到 C2,骨架期先用默认单 app 表。
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CONFIG_ESPTOOLPY_FLASHSIZE_8MB=y
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# 日志:默认 INFO,串口日志与命令混流的分帧问题在 A13 处理。
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CONFIG_LOG_DEFAULT_LEVEL_INFO=y
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# 自定义分区表:默认那张里没有事件日志的地方(需求 §10.7)。见 partitions.csv。
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CONFIG_PARTITION_TABLE_CUSTOM=y
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CONFIG_PARTITION_TABLE_CUSTOM_FILENAME="partitions.csv"
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