/* INA226 —— 板上 6 片（CH1~CH5 输出各一片 + 输入侧一片），分流电阻全部 5 mΩ / 1%。
   地址表见设计文档 §8.2，**不是顺排的**，详见下面 ina226_rail_addr() 的警告。

   本驱动只通过 hal_i2c_* 访问总线，宿主机上用 sim 的假器件即可全部测完。 */
#ifndef INA226_H
#define INA226_H

#include <stdbool.h>
#include <stdint.h>

#include "hal_err.h"

#ifdef __cplusplus
extern "C" {
#endif

/* ---- 寄存器（全部 16 位、大端） ---------------------------------------- */

#define INA226_REG_CONFIG  0x00
#define INA226_REG_SHUNT_V 0x01
#define INA226_REG_BUS_V   0x02
#define INA226_REG_POWER   0x03
#define INA226_REG_CURRENT 0x04
#define INA226_REG_CALIB   0x05
#define INA226_REG_MASK_EN 0x06
#define INA226_REG_ALERT_L 0x07
#define INA226_REG_MFG_ID  0xFE
#define INA226_REG_DIE_ID  0xFF

#define INA226_MFG_ID 0x5449 /* 'TI' */
#define INA226_DIE_ID 0x2260

/* ---- 量程与标定（五路与输入侧同一颗分流电阻，所以是常量不是参数） ------ */

#define INA226_SHUNT_UOHM     5000 /* 5 mΩ，设计文档 §8.2 */
#define INA226_CURRENT_LSB_UA 500  /* 0.5 mA —— 分流 LSB 2.5 µV ÷ 5 mΩ */

/* CAL = 0.00512 / (Current_LSB × R_shunt) = 0.00512 / (500 µA × 5 mΩ) = 2048 */
#define INA226_CALIB 2048

/* Config：保留位 100 + AVG=4 + VBUSCT=1.1 ms + VSHCT=1.1 ms + 连续测量分流与母线。
   转换周期 4 × (1.1 + 1.1) = 8.8 ms < t_safety 的 20 ms，所以每次巡检都拿到新的一帧。 */
#define INA226_CONFIG 0x4327

/* 上面那个 Config 折算出来的**一帧转换时间**：AVG=4 × (1.1 ms + 1.1 ms) = 8.8 ms。
   `t_safety` 的周期必须长于它，否则同一帧会被读两次 —— 现象是「电流特别稳」，
   不是任何一种错误。tasks.c 的表自检拿它和 20 ms 对一次。 */
#define INA226_CONV_US 8800

/* ---- 地址表（设计文档 §8.2） ------------------------------------------- */

#define INA226_RAIL_COUNT  5
#define INA226_COUNT       6
#define INA226_ADDR_INPUT  0x43 /* U13，输入侧 V+I，整板功率预算用 */

/* CH1~CH5 → U8~U12 的地址。rail 是 1~5，越界直接 abort。
   ⚠️ **`0x40 + ch` 是错的**，CH3/CH4/CH5 三路全错（0x44 / 0x45 / 0x42）。
   地址按布线难度重排过（§8.2 那张 A1/A0 表），永远查表，不要算。 */
uint8_t ina226_rail_addr(int rail);

extern const uint8_t ina226_all_addr[INA226_COUNT]; /* CH1..CH5 + 输入侧，扫描用 */

/* 六个地址互不重复、且不与 DAC63204(0x4A/0x4B) / PCA9555(0x20) / LM75(0x48) 撞车。
   启动自检调一次；返回 false 说明表被改坏了。 */
bool ina226_addr_table_ok(void);

/* ---- 采样 --------------------------------------------------------------- */

typedef struct {
    int32_t bus_mv;     /* 母线电压，1.25 mV/LSB */
    int32_t current_ua; /* **有符号** —— 反灌时为负（SW-8 靠这个判据） */
} ina226_vi_t;

typedef struct {
    int32_t bus_mv;
    int32_t shunt_uv; /* 2.5 µV/LSB，四舍五入到 µV（±1.25 µV ≈ ±0.25 mA） */
    int32_t current_ua;
    int32_t power_mw; /* 12.5 mW/LSB，向零截断 */
} ina226_sample_t;

/* 读 Manufacturer ID / Die ID 认件。
   器件不应答 → HAL_ERR_NAK；**应答了但 ID 不对 → HAL_ERR_BUS**
   （这个地址上有东西，但不是 INA226：多半地址跳线焊错或贴错件）。 */
hal_err_t ina226_probe(uint8_t addr);

/* 写 Config 与 Calibration 并**逐个回读校验**。回读不一致 → HAL_ERR_BUS。 */
hal_err_t ina226_init(uint8_t addr);

/* 只校验 Calibration 还在。掉了的现象是 **Current/Power 恒读 0**（不是报错），
   看上去就像「这台手机不耗电」，所以巡检里要定期查一次。 */
hal_err_t ina226_check(uint8_t addr);

/* 巡检主路径：母线电压 + 电流，两次事务。 */
hal_err_t ina226_read_vi(uint8_t addr, ina226_vi_t *out);

/* 诊断/事件记录用：四个量一次读齐，四次事务。 */
hal_err_t ina226_read_all(uint8_t addr, ina226_sample_t *out);

hal_err_t ina226_read_bus_mv(uint8_t addr, int32_t *mv);
hal_err_t ina226_read_shunt_uv(uint8_t addr, int32_t *uv);
hal_err_t ina226_read_current_ua(uint8_t addr, int32_t *ua);
hal_err_t ina226_read_power_mw(uint8_t addr, int32_t *mw);

#ifdef __cplusplus
}
#endif

#endif /* INA226_H */